PECVD等離子的基本原理(ppt 30頁)

PECVD等離子的基本原理目錄：
1、PECVD的原理
2、PECVD的原理及作用
3、PECVD設備結構

PECVD等離子的基本原理內容簡介：
等離子體：由於物質分子熱運動加劇，相互間的碰撞就會使氣體分子產生電離，這樣的物質就會變成自由運動並由相互作用的電子、正離子和中性粒子組成混合物的一種形態，這種形態就稱為等離子態即第四態.
工作原理：Centrotherm PECVD 係統是一組利用平行板鍍膜舟和高頻等離子激發器的係列發生器。在低壓和升溫的情況下，等離子發生器直接裝在鍍膜板中間發生反應。所用的活性氣體為矽烷SiH4和氨NH3。這些氣體作用於存儲在矽片上的氮化矽。可以根據改變矽烷對氨氣的比率，來得到不同的折射指數。在沉積工藝中，伴有大量的氫原子和氫離子的產生，使得晶片的氫鈍化性十分良好。
技術原理：是利用低溫等離子體作能量源，樣品置於低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然後通入適量的反應氣體，氣體經一係列化學反應和等離子體反應，在樣品表麵形成固態薄膜。
Si3N4膜的顏色隨著它的厚度的變化而變化，其理想的厚度是75—80nm之間，表麵呈現的顏色是深藍色，Si3N4膜的折射率在2.0—2.5之間為最佳，與酒精的折射率相乎，通常用酒精來測其折射率。Si3N4的優點：優良的表麵鈍化效果高效的光學減反射性能（厚度折射率匹配）低溫工藝（有效降低成本）反應生成的H離子對矽片表麵進行鈍化.

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