電子廠新員工培訓教程上(doc 21頁)

一、晶體管基礎

　　 雙極結型三極管相當於兩個背*背的二極管 PN 結。正向偏置的 EB 結有空穴從發射極注入基區，其中大部分空穴能夠到達集電結的邊界，並在反向偏置的 CB 結勢壘電場的作用下到達集電區，形成集電極電流 IC 。在共發射極晶體管電路中 , 發射結在基極電路中正向偏置 , 其電壓降很小。絕大部分 的集電極和發射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結上。由於 VBE 很小，所以基極電流約為 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
　　如果晶體管的共發射極電流放大係數β = IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發射極之間的壓降為VCE=5V，如果在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib，在集電極電路中將出現一個相應的交變電流ic，有c/ib=β，實現了雙極晶體管的電流放大作用。
　　金屬氧化物半導體場效應三極管的基本工作原理是*半導體表麵的電場效應，在半導體中感生出導電溝道來進行工作的。當柵 G 電壓 VG 增大時， p 型半導體表麵的多數載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表麵達到反型時，電子積累層將在 n+ 源區 S 和 n+ 漏區 D 之間形成導電溝道。當 VDS ≠ 0 時，源漏電極之間有較大的電流 IDS 流過。使半導體表麵達到強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓 VT 。當 VGS>VT 並取不同數值時，反型層的導電能力將改變，在相同的 VDS 下也將產生不同的 IDS , 實現柵源電壓 VGS 對源漏電流 IDS 的控製。
二、晶體管的命名方法
晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。三極管以符號BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。按製作材料分，晶體管可分為鍺管和矽管兩種。
按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數國產管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2代表二極管。第二位代表材料和極性。A代表PNP型鍺材料；B代表NPN型鍺材料；C為PNP型矽材料；D為NPN型矽材料。第三位表示用途，其中X代表低頻小功率管；D代表低頻大功率管；G代表高頻小功率管；A代表高頻大功率管。最後麵的數字是產品的序號，序號不同，各種指標略有差異。注意，二極管同三極管第二位意義基本相同，而第三位則含義不同。對於二極管來說，第三位的P代表檢波管；W代表穩壓管；Z代表整流管。上麵舉的例子，具體來說就是PNP型鍺材料低頻小功率管。對於進口的三極管來說，就各有不同，要在實際使用過程中注意積累資料。
　　常用的進口管有韓國的90xx、80xx係列，歐洲的2Sx係列，在該係列中，第三位含義同國產管的第三位基本相同。

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