談機器放電模式之全晶片靜電放電防護(pdf 11頁)

談機器放電模式之全晶片靜電放電防護內容提要：
16 Mbit 的可規劃罩冪式記憶體(programmable mask ROM)積體電路(integrated circuits,IC)產品，在本公司內部機台測試結果，機器模式(machine model, MM)靜電放電(electrostaticdischarge, ESD)耐受度可達300 V，但在客戶端的測試結果卻隻有150 V。經過詳細的分析，我們發現機器模式靜電放電的結果和輸出波形的速度有相當大的關係。如果速度很快時，將會造成晶片內部電路的破壞。新的設計架構針對此問題進行修正改良，並成功地改善該產品機器模式的靜電放電耐受度至350 V 的水準。
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