晶矽太陽能電池加工工藝課件(PPT 87頁)

1 PECVD相關定義
2 PECVD減反射膜的作用
3 PECVD原理
4 減反射膜的種類及特點
PECVD --等離子增強的化學氣相沉積
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
等離子體--氣體在一定條件下受到高能激發，發生電離，
部分外層電子脫離原子核，形成電子、
正離子和中性粒子混合組成的一種形態，這種形態就稱為等離子態。
為什麼要做減反射膜
矽片經擴散到腐蝕周邊工序後，已具備光電轉換能力。但是，
由於光在矽表麵的反射使光損失約1/3，即使經絨麵處理的矽表麵，
損失仍約為11%。為減少反射損失，根據薄膜幹涉原理，
在電池表麵製作一層減反射膜，使電池短路電流和輸出增加。
SiN膜的作用
減反射作用
照射到矽片上的光有相當一部分會被反射掉。
如果在矽表麵製備一層或多層薄膜，利用薄膜幹涉原理，
可以使光的反射大為減少，這種膜稱為太陽電池的減反射膜ARC(antireflection coating)。
製備減反射膜後，電池的短路電流會有很大增加，轉換效率相應也有很大提高。
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