IC集成技術中的工藝模塊教材(PPT 92頁)

IC集成技術中的工藝模塊
IC集成中的器件形成與互連
IC集成中的器件隔離
雙極IC中的器件隔離
PN結隔離的雙極晶體管
SBC結構 vs. CDI結構 vs. 3D結構
雙極集成電路典型工藝的集成/1
襯底材料選擇的考慮
雙極集成電路典型工藝的集成/2
雙極集成電路典型工藝的集成/3
PN結隔離的實現― P+隔離擴散
PN結隔離
PN結隔離 vs. 深槽隔離
雙極集成電路典型工藝的集成/4
SBC結構集電極深接觸的實現
雙極集成電路典型工藝的集成/5
SBC雙極IC基區的設計考慮
雙極集成電路典型工藝的集成/6
雙極集成電路典型工藝的集成/7
工藝流程
光刻掩膜版彙總
MOS 器件的自隔離 /1
MOS 器件的自隔離 /2
MOS IC中器件隔離的作用 /1
MOS IC中器件隔離的作用 /2
製備厚氧化層的最直接方法
矽的局部氧化(隔離)技術
標準LOCOS工藝主要步驟
LOCOS的主要作用
LOCOS的掩膜
局部氧化技術(1)
局部氧化技術(2)
LOCOS存在的主要問題 /1
“鳥嘴” 形成的原因及影響
LOCOS存在的主要問題 /2
LOCOS主要問題的解決措施 /1
PBL－Crab Eyes
LOCOS主要問題的解決措施 /２
側牆掩蔽隔離技術(SWAMI)
Shallow Trench Isolation /1
CMOS 工藝中的基本模塊
CMOS IC 中的阱
雙阱工藝
Twin Well
阱注入技術
阱注入技術 ―倒摻雜技術
場注入(溝道阻止注入)技術
場注入的作用
柵氧和閾值電壓調整
Early STI
Advanced STI /1
Advanced STI /2
Transistor Making: Metal Gate /1
Transistor Making Metal Gate /2
矽柵工藝
自對準技術
矽柵自對準工藝
Self-aligned Gate
矽柵自對準工藝的優點
自對準技術及其作用
MOS工藝中的自對準結構 /1
自對準源漏工藝步驟
Self-aligned Twin Well
輕摻雜漏注入技術LDD(Lightly Doped Drain/Source)
LDD Formation /1
LDD Formation /2
LDD的作用
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