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MOS器件物理--轉移特性曲線(ppt 29頁)

所屬分類:
工藝技術
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212 KB
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相關資料:
mos器件, 器件物理, 轉移特性, 特性曲線
MOS器件物理--轉移特性曲線(ppt 29頁)內容簡介

一、 轉移特性曲線
二、 MOS管的直流導通電阻
三、 MOS管的最高工作頻率
四、 飽和區MOS管的跨導與導納
五、 MOS管的最高工作頻率
六、 二階效應
七、 襯底偏置效應(體效應)
八、 溝道調製效應
九、 亞閾值效應
十、 溫度效應


一、 轉移特性曲線
在一個固定的VDS下的MOS管飽和區的漏極電流與柵源電壓之間的關係稱為MOS管的轉移特性。
在實際應用中,生產廠商經常為設計者提供的參數中,經常給出的是在零電流下的開啟電壓
注意 ,Vth0為無襯偏時的開啟電壓,而 是在與VGS特性曲線中與VGS軸的交點電壓,實際上為零電流的柵電壓
從物理意義上而言, 為溝道剛反型時的柵電壓,僅與溝道濃度、氧化層電荷等有關;而Vth0與人為定義開啟後的IDS有關。
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